JFETs - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 267

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

267 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
SMP4221TR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	3642	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMP5461	InterFET	JFET P-Channel 40V Low Ciss	3181	RFQ	Strip	Active	Подробности
SMP4220ATR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	8546	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMP4339TR	InterFET	JFET N-Channel -50V Low Ciss	7651	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMP4339	InterFET	JFET N-Channel -50V Low Ciss	2717	RFQ	Strip	Active	Подробности
SMP4393TR	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Noise	1564	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMP5462TR	InterFET	JFET P-Channel 40V Low Ciss	3103	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMP4221	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	1622	RFQ	Strip	Active	Подробности
SMP4221A	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	4467	RFQ	Strip	Active	Подробности
SMP4393	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Noise	9975	RFQ	Strip	Active	Подробности
SMP4221ATR	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	5353	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
IFN202ST3	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Ciss	2657	RFQ	Strip	Active	Подробности

267 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.